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本文源自:金融界

金融界2025年4月24日消息，国家知识产权局信息显示，浙江广芯微电子有限公司申请一项名为“面向特高压MOSFET的封装优化方法及系统”的专利，公开号CN119808693A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本申请提供了面向特高压MOSFET的封装优化方法及系统，涉及半导体制造技术领域，通过确定特高压MOSFET元件的预设封装布局；分析寄生电容及寄生电容对开关速度的影响，以及寄生电感及寄生电感对电压过冲的影响，结合能量损耗关联分析，建立寄生电容优化网络和寄生电感优化网络；拟定多个等效RC电路并进行等效组合，根据优化网络建立性能优化模型；基于性能优化模型，结合封装需求信息进行折中回溯迭代，同时，调整预设封装布局，得到最优封装布局。本申请解决了现有技术缺乏对封装过程中寄生效应的系统性优化，导致难以实现整体封装性能提升的技术问题，达到了显著提高特高压MOSFET的性能和可靠性的技术效果。

天眼查资料显示，浙江广芯微电子有限公司，成立于2021年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5545.4545万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江广芯微电子有限公司参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可6个。